型号:

DMN32D2LFB4-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN32D2LFB4-7 PDF
其它图纸 DFN1006H4-3 Side
DFN1006H4-3 Bottom
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 100mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 39pF @ 3V
功率 - 最大 350mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
供应商设备封装 3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包装 标准包装
产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN32D2LFB4DIDKR
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